快科技10月17日消息，今天，三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Lee Jung-Bae發(fā)表文章，稱三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的運(yùn)行芯片，希望明年初可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。同時(shí)三星還正在開發(fā)行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的11納米級(jí)DRAM芯片。

該負(fù)責(zé)人還表示，對(duì)于DRAM三星正在研發(fā)3D堆疊結(jié)構(gòu)和新材料；對(duì)于NAND閃存，正在通過增加堆疊層數(shù)、同時(shí)降低高度來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。

這一計(jì)劃也將使三星的進(jìn)度超過SK海力士，SK海力士曾在不久前宣布計(jì)劃在2025年開始量產(chǎn)321層NAND芯片。

預(yù)計(jì)三星第9代NAND閃存芯片仍將采用雙堆疊技術(shù)，其中包括在兩個(gè)獨(dú)立過程中創(chuàng)建NAND存儲(chǔ)器，然后將它們組裝在一起。

與老對(duì)手三星不同，SK海力士的300層NAND產(chǎn)品采用的是三重堆疊技術(shù)，每組分別堆疊120層、110層和91層，最后組合成一個(gè)芯片。

相比于三重堆疊，雙堆疊工藝在生產(chǎn)成本和效率上存在著不小的優(yōu)勢。三星此舉也是為了用成本優(yōu)勢來超越對(duì)手，從而鞏固其市場領(lǐng)先地位。

在去年舉辦的三星技術(shù)日上，三星表示將在2030年實(shí)現(xiàn)堆疊多達(dá)1000層的技術(shù)。然而如果不采用三重堆疊工藝，要實(shí)現(xiàn)超過400層的堆疊將是一個(gè)挑戰(zhàn)。因此業(yè)內(nèi)人士表示三星可能會(huì)在第10代430層產(chǎn)品中開始采用三重堆疊技術(shù)。